贴片电容器的类型和特性
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作者:Willer
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发布时间: 2021-04-10
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NPO、X7R、Z5U、Y5V的主要区别是填充介质不同。相同体积下，不同填充介质组成的电容器容量不同，由此产生的电容器介质损耗和容量稳定性也不同。因此，在使用电容时，应根据电容在电路中的不同功能选择不同的电容。
NPO、X7R、Z5U、Y5V的主要区别是填充介质不同。相同体积下，不同填充介质组成的电容器容量不同，由此产生的电容器介质损耗和容量稳定性也不同。因此，在使用电容时，应根据电容在电路中的不同功能选择不同的电容。
一、NPO电容器
NPO是最常用的带温度补偿的单片陶瓷电容器之一。它的填充介质由铷、钐和其他一些稀有氧化物组成。
NPO电容器是电容和介电损耗最稳定的电容器之一。当温度从-55℃到+125℃时，电容的变化为0.30 ppm/℃，电容随频率的变化小于0.3 δ C，NPO电容的漂移或迟滞小于0.05%，与大于2%的薄膜电容相比可以忽略不计。容量相对于使用寿命的典型变化小于0.1%。不同封装形式的NPO电容器具有不同的电容和介质损耗随频率变化的特性。大封装尺寸的频率特性优于小封装尺寸的频率特性。下表显示了NPO电容器的可选容量范围。
封装DC = 50伏直流= 100伏
08050.5 - 1000pF0.5 - 820pF
12060.5 - 1200pF0.5 - 1800pF
1210560 - 5600pF560 - 2700pF
22251000 pf-0.033μF 1000 pf-0.018μF
NPO电容适用于振荡器和谐振器的储能电容，以及高频电路中的耦合电容。
第二，X7R电容
X7R电容称为温度稳定陶瓷电容。当温度在-55℃至+125℃之间时，电容器容量的变化为15%。需要注意的是，此时电容容量的变化是非线性的。
X7R电容器在不同电压和频率条件下的容量是不同的，也是随时间变化的，每10年变化1% δ c左右，说明10年变化5%左右。
X7R电容主要用于要求不高的工业应用，当电压变化时，电容变化是可以接受的。它的主要特点是在同样的体积下，电容可以做得更大。下表显示了X7R电容器的可选容量范围。
封装DC = 50伏直流= 100伏
0805330pF - 0.056μF330pF - 0.012μF
12061000 pf-0.15μF 1000 pf-0.047μF
12101000pF - 0.22μF1000pF - 0.1μF
22250.01μF - 1μF0.01μF - 0.56μF
Iii .Z5U电容器
Z5U电容被称为“通用”陶瓷单片电容。这里首先要考虑的是使用温度范围。对于Z5U电容来说，主要是体积小，成本低。对于以上三种陶瓷单片电容，Z5U电容在相同体积下的电容最大。但其电容受环境和工作条件影响较大，每10年老化率可降低5%。
虽然其容量不稳定，但由于其体积小、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、频率响应好，因此具有广泛的应用。特别是在去耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容的取值范围。
封装DC = 25伏直流= 50伏
08050.01μF - 0.12μF0.01μF - 0.1μF
12060.01μF - 0.33μF0.01μF - 0.27μF
12100.01μF - 0.68μF0.01μF - 0.47μF
22250.01μF-1μF F 0.01μF-1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围+10℃-+85℃
温度特性+22%-56%
最大介电损耗为4%
四.Y5V电容
Y5V电容器是一种具有一定温度限制的通用电容器，其容量在-30℃至85℃范围内可从+22%变化到-82%。
Y5V的高介电常数允许以更小的物理尺寸制造高达4.7μF的电容。
Y5V电容的取值范围如下表所示
封装DC = 25伏直流= 50伏
08050.01μF - 0.39μF0.01μF - 0.1μF
12060.01μF - 1μF0.01μF - 0.33μF
12100.1μF - 1.5μF0.01μF - 0.47μF
22250.68μF - 2.2μF0.68μF - 1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃-+85℃，
温度特性+22%-82%，
最大介电损耗为5%。
