BaTiO _ 3基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压好的优点，但也存在一些缺点，如电容随介质温度升高变化率高、绝缘电阻低。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是一个没有自发极化的顺电体。在高电压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，低Tg的δ多层陶瓷电容器是应用最广泛的芯片元器件之一。它是由内部电极材料和陶瓷体交替并联并整体烧制而成的片式单片电容器。
BaTiO _ 3基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压好的优点，但也存在一些缺点，如电容随介质温度升高变化率高、绝缘电阻低。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是一个没有自发极化的顺电体。在高电压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，低Tg的δ多层陶瓷电容器是应用最广泛的芯片元器件之一。它是由内部电极材料和陶瓷体交替并联并整体烧制而成的片式单片电容器。
晶界陶瓷电容器涂适量金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等。)在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面。在合适的温度和氧化条件下热处理后，涂层氧化物和钛酸钡形成低共熔相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成薄的固溶体绝缘层。这种薄固溶体绝缘层的电阻率非常高(高达1012-1013) ω。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体的表观介电常数高达2×104-8×104。这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器(BL电容器)，高压陶瓷电容器有两种陶瓷材料:钛酸钡基和钛酸锶基。BaTiO _ 3基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压好的优点，但也存在一些缺点，如电容随介质温度升高变化率高、绝缘电阻低。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是一个没有自发极化的顺电体。在高电压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，低Tg的δ多层陶瓷电容器是应用最广泛的芯片元器件之一。它是由内部电极材料和陶瓷体交替并联并整体烧制而成的片式单片电容器。它具有体积小、比电容高、精度高的特点。它可以安装在印刷电路板(PCB)和混合集成电路(HIC)基板上，可以有效降低电子信息终端产品(尤其是便携式产品)的体积和重量，提高产品的可靠性。IT符合IT行业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向。
