SMD磁珠由软磁铁氧体材料组成，形成高体积电阻率的整体结构。涡流损耗与铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗与信号频率的平方成正比。闭合磁路结构可以更好地消除信号的串联绕组。降低DC电阻，避免有用信号过度衰减。高频放大电路消除了寄生振荡。它在几兆赫到几百兆赫的频率范围内有效工作。使用S MD磁珠和S MD传感器的原因:是使用S MD磁珠还是S MD传感器主要看应用。当需要消除不必要的EMI噪声时，使用S MD磁珠是一个不错的选择。
SMD磁珠由软磁铁氧体材料组成，形成高体积电阻率的整体结构。涡流损耗与铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗与信号频率的平方成正比。闭合磁路结构可以更好地消除信号的串联绕组。降低DC电阻，避免有用信号过度衰减。高频放大电路消除了寄生振荡。它在几兆赫到几百兆赫的频率范围内有效工作。使用S MD磁珠和S MD传感器的原因:是使用S MD磁珠还是S MD传感器主要看应用。当需要消除不必要的EMI噪声时，使用S MD磁珠是一个不错的选择。
SMD磁珠由软磁铁氧体材料组成，形成高体积电阻率的整体结构。涡流损耗与铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗与信号频率的平方成正比。使用贴片磁珠的优点:小型化、轻量化，射频噪声频率范围内阻抗高，消除传输线电磁干扰。闭合磁路结构可以更好地消除信号的串联绕组。出色的磁屏蔽结构。降低DC电阻，避免有用信号过度衰减。显著的高频和阻抗特性(更好地消除射频能量)。高频放大电路消除了寄生振荡。它在几兆赫到几百兆赫的频率范围内有效工作。
为了正确选择磁珠，需要注意的核心问题是:不必要信号的频率范围是多少；谁是噪音源；PCB上是否有放置磁珠的空间；需要衰减多少噪声；环境条件(温度、DC电压、结构强度)；以及电路和负载阻抗。
前三个可以通过观察厂家提供的阻抗-频率曲线来判断。在阻抗曲线中，有三条曲线非常重要:电阻、感抗和总阻抗。总阻抗用zr22π fl () 2+:= fl表示。根据该曲线，选择在噪声衰减频率范围内具有大阻抗的磁珠，但是在低频和DC条件下信号衰减尽可能小。此外，如果温升过高或施加的磁场过大，磁珠的阻抗将受到不利影响。也可以去深圳电子展选择。使用S MD磁珠和S MD传感器的原因:是使用S MD磁珠还是S MD传感器主要看应用。谐振电路需要芯片电感。当需要消除不必要的EMI噪声时，使用S MD磁珠是一个不错的选择。
