光敏电阻或光电导体通常由硫化镉以及硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋制成。用于制造光敏电阻的材料主要是半导体，如金属硫化物、硒化物和碲化物。当光照射光电导体时，如果光电导体是本征半导体材料，光的辐射能量足够强，光电导体材料价带中的电子会被激发到导带，从而增加导带中的电子和价带中的空穴，导致光电导体的电导率增加。
光敏电阻或光电导体通常由硫化镉以及硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋制成。用于制造光敏电阻的材料主要是半导体，如金属硫化物、硒化物和碲化物。当光照射光电导体时，如果光电导体是本征半导体材料，光的辐射能量足够强，光电导体材料价带中的电子会被激发到导带，从而增加导带中的电子和价带中的空穴，导致光电导体的电导率增加。
光敏电阻(ldr)或光电导体通常由硫化镉、硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋制成。
光敏电阻的工作原理是基于内部光电效应。电极引线安装在半导体光敏材料的两端，封装在带有透明窗口的管壳内，形成光敏电阻。为了增加灵敏度，通常将两个电极制成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是半导体，如金属硫化物、硒化物和碲化物。
通常，薄光阻和梳状欧姆电极通过涂覆、喷涂、烧结等方法制作在绝缘衬底上。，并且引线被取出并封装在具有透明镜子的密封外壳中，以避免湿气对其灵敏度的影响。入射光消失后，光子激发产生的电子-空穴对会重新结合，光敏电阻的电阻会恢复到原来的值。
在光敏电阻两端的金属电极上施加电压，电流在其中通过。当受到一定波长的光照射时，电流会随着光强的增加而增加，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯属电阻器件，既可以施加DC电压，也可以施加交流电压。半导体的电导率取决于半导体导带中载流子的数量。当光照射光电导体时，如果光电导体是本征半导体材料，光的辐射能量足够强，光电导体材料价带中的电子会被激发到导带，从而增加导带中的电子和价带中的空穴，导致光电导体的电导率增加。为了实现能级跃迁，入射光的能量必须大于光电导体材料的禁带宽度Eg，即ν和λ是入射光的频率和波长。
在黑暗的环境中，它的抵抗力很高；当暴露于光下，光辐射的能量足够大时，光导材料禁带内的电子被能量大于禁带宽度δ eg的光子激发，从价带跃迁到导带，使得导带内的电子和价带内的空穴增加，电阻率降低。
