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晶体二极管的原理和参数

来源: | 作者:Willer | 发布时间: 2021-06-18 | 241 次浏览 | 分享到:

没有外加电压时，PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自生电场的漂移电流。当反向电压施加到一定程度时，PN结空间电荷层的电场强度达到载流子倍增产生的临界值，产生大量的空电子徐对和大的反向击穿电流，称为二极管击穿现象。当存在反向偏压时，外部电场和自建电场进一步加强，在反向电压范围内形成反向饱和电流。

晶体二极管是由P型半导体和N型半导体构成的PN结。界面两侧形成空间电荷层和自生电场。当外界存在正偏压时，外部电场和自建电场的相互抑制和消除导致载流子扩散电流和正向电流增加；在反向偏压存在的情况下，外部电场和自建电场进一步加强，在一定的反向电压范围内形成与反向偏压值无关的反向饱和电流。

当反向电压施加到一定程度时，PN结空间电荷层的电场强度也达到载流子倍增的临界值，产生大量的空电子徐对和大的反向击穿电流，称为二极管击穿现象。PN结的反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿。

我们需要根据主要参数来选择二极管。额定正向工作电流是指二极管长时间连续工作时允许的正向电流值。浪涌电流是允许流动的正向电流。它是瞬时电流，其值通常约为额定正向工作电流的20倍。

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