陶瓷电容器和高频瓷介电容器的区别
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作者:Willer
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发布时间: 2021-05-21
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陶瓷电容器
将高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡-氧化钛)挤压成圆管、圆盘或圆盘作为介质，用烧结渗透法在陶瓷上镀银作为电极。分为高频瓷介质和低频瓷介质。
陶瓷电容器
将高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡-氧化钛)挤压成圆管、圆盘或圆盘作为介质，用烧结渗透法在陶瓷上镀银作为电极。分为高频瓷介质和低频瓷介质。
陶瓷电容器是正电容温度系数小的电容器，在高稳定振荡电路中用作电路电容器和焊盘电容器。
高频电路用云母电容器。从结构上来说，可以分为箔型和银型。镀膜银电极是通过真空蒸发或烧结渗透直接在云母片上镀银而成。由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔片高。
陶瓷电容器
频率特性好，Q值高，温度系数小；无法制造大容量；广泛用于高频电器，可作为标准电容器玻璃釉电容器。
高频陶瓷介质电容器是通过将浓度适合喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而形成的，电介质与银层电极烧结在一起，形成“单片”结构。
其性能堪比云母电容器，能承受各种气候环境。一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压为500伏，损耗tgδ(介质损耗因数)为0.0005-0.008。
低频陶瓷电容器仅限于低工作频率电路中的旁路或DC隔离，或在低稳定性和损耗要求(包括高频)的条件下使用。这种电容器不适合脉冲电路，因为它们容易被脉冲电压击穿。
